700ー800℃で相対密度96％以上「半導体セラミックス」得られる、東北大学が低温焼結技術

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ニュースイッチ by　日刊工業新聞社

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700ー800℃で相対密度96％以上「半導体セラミックス」得られる、東北大学が低温焼結技術

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3 days ago

700ー800℃で相対密度96％以上「半導体セラミックス」得られる、東北大学が低温焼結技術

「700ー800℃で相対密度96％以上「半導体セラミックス」得られる、東北大学が低温焼結技術」　東北大学多元物質科学研究所の細野新助教と山田高広教授の研究グループは、金属ナトリウム蒸気を使った半導体セラミックスの低温焼結技術を開発した。７００―８００度Ｃの低温で、相対密度９６％以上の緻密なセラミックスが得られる。材料の半導体化と焼結を低温で行うことでセラミックスの製造コストを低減するほか、さまざまな材料の焼結にも応用可能になる。